정부출연연구기관인 한국표준과학연구원(KRISS)은 과학기술 전 분야에 대한 기초 및 원천기술 연구를 수행하고 있습니다. 블라인드 채용 연계 NCS(국가직무능력표준) 기반 능력 중심 채용을 통하여 각 분야의 우수한 박사후연구원(Post-doc.)을 초빙하오니, 지금 도전하시어 KRISS에서 여러분의 꿈과 열정을 마음껏 펼치시길 바랍니다. □ 채용분야 및 인원: 28개 분야 31명 채용분야관련 전공주요 업무채용인원코드물리측정길이형상측정물리학, 기계공학• Computational imaging 기술을 이용한 장거리 이미징• 적응광학계에 사용되는 closed loop algorithm 개발1명음향진동초음파측정물리학, 전기·전자/기계/의공학• 광기반 고주파 초음파 수음 측정 표준 개발• 고강도 초음파 측정 기술 개발• 의료용 집중초음파 기술 개발1명화학소재측정소재물성측정1물리, 화학, 재료공학, 전기전자공학, 기계공학 등• 튜닝포크 기반 진공 PiFM 시스템 개발 및 액상 PiFM 개발을 통한 나노 바이오 소재의 분광학적 성질을 나노 스케일의 공간 분해능으로 측정1명소재물성측정2물리, 화학, 재료공학, 전기전자공학, 기계공학 등• SPM(STM, AFM등) 활용 저차원 양자소재 및 양자소자 측정기술 개발1명바이오의료측정바이오물질측정1생물학 관련 전공• 첨단바이오의약품 및 정밀의료용 바이오 소재에 대한 측정표준 개발• 첨단바이오의약품 품질평가를 위한 표준물질 및 측정기술 개발1명바이오물질측정2생물학, 화학, 물리학• 지질나노입자 및 바이러스 측정• RNA 정성 및 정량분석1명바이오물질측정3생물학 관련 전공• 미생물 유전체/군집유전체 분석• 바이러스 유전체/군집유전체 분석• LLM 기반 문헌 분석 및 에이전트 개발1명나노바이오측정1물리학, 광학, 의공학, 기계공학• 간섭계 기반(디지털홀로그래피) 바이오 광 이미징 기술 개발• 초분광 암시야 현미경 기술을 이용한 첨단바이오의약품용 나노바이오소재 및 세포 분석 기술 개발1명나노바이오측정2물리학, 광학, 의공학, 기계공학• 간섭계(광간섭단층촬영) 또는 비선형 광학 기반 바이오 광 이미징 기술 개발• Optoretinography 기술 개발 및 이를 이용한 AI 기반 유전자 치료제 효능 전임상시험 분석 기술 개발1명나노바이오측정3프로테오믹스• 단백질 기반 첨단바이오의약품 및 나노물질의 유효성·독성 평가 연구• 단백질 코로나 분석 및 기전 규명• LC-MS/MS 기반 정량 분석법 개발 및 다중오믹스 해석1명양자기술연구양자자기센싱1물리• 광자기(Magneto-Optical Kerr Effect) 현미경 개발• 광자기 현미경을 이용한 응용 실험1명양자자기센싱2물리학, 재료공학, 전자공학• 포논 스퀴징을 이용한 스카미온 이동 기술개발• 스카스미온 구동을 위한 기본기술개발• 스카미온 기반 확률 소자 특성 분석2명양자자기센싱3물리학, 전기전자공학• 광펌핑원자자계계(OPM) 등 양자자기센서 응용 측정기술 개발• 미세자기장 이미징 및 이를 통한 비파괴 전류 재구성 방법 개발1명양자정보네트워킹물리• 양자광학계 기반 양자광센싱 기술 개발• 양자광원임원 및 양자간섭계 실험 연구1명양자소자물리학, 기계공학, 전자공학 등• 초전도 마이크로파 양자회로 기반 하이브리드 양주시스템 연구 및 개발1명원자양자센싱1물리학, 광학, 전자공학, 기계공학• 레이저를 이용한 냉각원자의 제어 연구• 원자간섭계를 이용한 중력, 중력구배 및 관성센서 연구2명원자양자센싱2광학• 온칩(on-chip) 광공진기 광원 생성 및 제어• 원자셀 기반 양자정보 시스템 개발1명원자양자센싱3물리, 전자, 전산, 기계, 재료• 중성원자 양자컴퓨터 개발을 위한 측정 및 제보기술 개발• 중성원자 큐비트 양자연산 기술 개발• 양자컴퓨터 운용 및 제어 기술 개발2명전략기술연구반도체디스플레이측정1물리학, 기계공학, 전자공학, 전자파공학 등• 극자외선 검사기의 광학 모듈 고도화• 극자외선 노광 소재·부품 광학특성 평가• 극자외선 기반 반도체 소자의 형상 측정 기술 개발1명반도체디스플레이측정2물리, 화학, 재료공학 등• 이차원 소재 및 소자 라만 분광학 기반 신뢰성 평가기술 개발1명반도체디스플레이측정3물리(화학, 물리학, 기계공학, 핵융합공학, 화학공학, 반도체공학 등 관련 학문 전 분야• 레이저 분광학을 이용한 반도체 식각공정의 주요 반응성 화학종의 실시간 모니터링 기술 개발 및 탄소중립형 공정 적용1명반도체디스플레이측정4물리(화학, 물리학) 등 관련 학문 전 분야• 광빗상 기반 시간-주파수 분해 분광학을 이용한 반도체 공정용 대체가스의 대기화학 동역학 연구1명우주극한측정물리학, 광학, 천문학, 기계• 우주용 반사경 정밀 측정• 대형 반사경 자동연마기술 개발• SiC와 같은 신소재를 이용한 반사경 개발1명미래선도연구장비인공지능, 컴퓨터공학, 전산학, 수학, 통계학, 정보통신공학, 전기전자공학 등• 인공지능 신뢰성 향상 및 정량화 연구 (Uncertainty in AI, Trustworthy AI 등)• 첨단산업 난제 해결을 위한 인공지능 연구1명초전도양자컴퓨팅시스템연구1물리학, 전기전자공학, 컴퓨터공학, 계측제어, 측정과학• 오류정정에 적합한 고성능 초전도 양자프로세서 아키텍처 설계 및 최적화• 유닛셀 기반 큐비트 주파수 배치 최적화• 고충실도 양자게이트 시뮬레이션• 고속 양자게이트를 위한 가변 커플러 설계• 높은 측정충실도를 위한 퍼셀필터 개발1명초전도양자컴퓨팅시스템연구2물리학, 전기전자공학, 컴퓨터공학, 계측제어, 측정과학• 양자게이트 구현을 위한 초전도 큐비트 제어 및 잡음 분석• 높은 충실도 구동을 위한 극저온 저잡음 측정 기술 개발• 100큐비트급 이상 대규모 QPU 운영을 위한 통합 소프트웨어 개발• 오류 정정 및 오류 완화 방법론 개발 및 실험 적용1명초전도양자컴퓨팅시스템연구3물리학, 전기전자공학, 전자재료, 반도체공학• 고성능 초전도 QPU 제작 공정 개발• 100큐비트급 이상 QPU를 위한 3차원 패키징• 대면적 웨이퍼 스케일 QPU 제작 수율 및 산포도 제어• 대면적 초전도 막질 품질 관리, 웨이퍼 스케일 전자빔 리소그래피 공정 및 조셉슨 접합 공정 최적화1명촉각표준융합연구전자공학, 기계공학• 초실감 촉감 재현이 가능한 초소형·초경량 액추에이터 기술개발1명<참고1> 응시자의 채용분야 중복·교차 지원 금지 $\circ$ 응시자는 표준연 2026년 1차 Post-Doc. 공개채용 채용분야 중 1개 분야에만 지원할 수 있으며, 중복·교차 지원이 확인될 경우 합격 취소 □ 응시자격요건 구 분내 용공통$\circ$ 표준연 임용 결격사유에 해당하지 않는 자 - 국가공무원법 제33조(결격사유) 제1항 각 호에 해당되지 아니한 자 - 법률에 의하여 선거권이 정지 또는 박탈되지 아니한 자 - 병역법 제76조 제1항에 해당하지 않는 자(병역의무미대상자는 병역필 또는 면제자) ※ 전문연구요원 전적 요건을 갖춘 자 지원 가능 - 연구원 또는 다른 공공기관에서 부정채용으로 적발되지 아니한 자 - 부패방지 및 권익위 설치·운영에 관한 법률에 따른 비위면직에 해당되지 아니한 자 등 $\circ$ 박사학위자로 박사학위 취득 후 5년 이내인 자 (또는 채용공고문에 기재된 임용예정일 기준 3개월 이내 학위취득 예정자) □ 우대사항 구 분내 용우대 사항$\circ$ 관계 법률 및 내규에 따라 국가유공자 등 취업지원대상자, 장애인, 여성과학기술인* 우대 * 여성과학기술인의 경우 전공과 직무가 연관된 경우에 한하여 우대함 우대 내용 (복수 우대사항 해당 시 높은 기준으로 우대) 1. (장애인, 여성과학기술인) 각 전형별 100점 만점 기준 5% 가점 2. (보훈) 국가유공자 등 예우 및 지원에 관한 법률 제29조 제1항 제3호 및 제5호 대상자는 5% 가점, 제29조 제1항 제1호, 제2호 및 제4호 대상자는 10% 가점 ※ 보훈 가점을 받아 채용시험에 합격하는 사람은 선발예정인원의 30퍼센트를 초과할 수 없음. 다만, 응시자의 수가 선발예정인원과 같거나 그보다 적은 경우 가점을 적용한 점수로 평가함(국가유공자법 제31조 제3항) ※ 지원서 작성 시 우대사항을 기재하지 않거나, 추후 증빙서류를 제출하지 않는 경우 우대사항 미적용 □ 응시방법 $\circ$ 접수방법: KRISS 채용페이지 온라인 접수 ([https://kriss.fairy.im](https://kriss.fairy.im)) $\circ$ 원서접수기간: 2025. 12. 29.(월) ~ 2026. 1. 13.(화), 11:00 ※ 마감시간 이후 접수 불가 □ 전형절차 전형절차내 용1차 전형 (서류전형)$\circ$ 응시원서 내용을 토대로 채용예정분야 전문성 및 적격성 평가 - 평가항목: 실적, 경험, 역량 및 적격성 등 - 합격기준: 평가항목을 종합적으로 고려하여 지원자별 5개 척도 평가, 각 전형위원 합산점수 평균 80점 이상 득점자 중 고득점자 - 합격배수: 채용예정인원의 3배수 이내 2차 전형 (면접전형)$\circ$ 연구업적 발표를 통한 연구수행 능력 및 역량 평가 $\circ$ 인성면접(조직적합성, 인성 등 평가) - 평가항목: 기본자세, 사고력, 발표력, 장래성, 지식 - 합격기준: 각 전형위원 합산점수 평균 80점 이상 득점자 중 고득점자 - 합격배수: 채용예정인원의 1배수 이내 ※ 전형별 실적 및 역량 평가 시, 최근(약 3년 내) SCIE 제1저자(주저자) 논문 또는 국제특허 주발명자 실적은 정성적으로 우대 가능 <참고2> 비대면 화상면접 실시 가능 $\circ$ (면접전형) 해외 거주자 응시 등에 대응하기 위해 필요 시 비대면 화상면접(일부 혹은 전부) 실시 가능